解决方案
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查看详情TO-220F和TO-220I封装绝缘耐压测试报告
测试目的：验证TO-220F和TO-220I封装的绝缘耐压能力。测试设备：Ainuo ELECTRICAL SAFETY COMPRE -
查看详情15KW充电模块后级DC/DC替 换SiC 二极管的效率对比测试
测试目的：通过替换充电模块后级的SIC二极管替换比对效率；测试设备：PA5000H PowerAnalyzer；可 -
查看详情【专利解密】泰科天润制备SiC基MOS器件栅介质薄膜的方法
泰科天润提出的该SiC基MOS器件栅介质薄膜的制备方法具有广阔的应用前景，尤其是碳化硅作为第三代 -
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精读半导体芯片科技最新资讯、发展趋势、技术前沿信息，分享产业研究报告、泰科天润半导体芯片前 -
查看详情封装对HV WBG功率半导体的边缘终端电场的影响
功率半导体的边缘终端定义为功率器件边缘周围的空间结终端。保护环用于在内部耗尽区和电场终止于 -
查看详情SiC肖特基二极管分立器件的热阻建模分析与评测
基于碳化硅（SiC）等的宽带隙器件具有出色的电学和热学性能，被认为是下一代电力电子技术的基础 -
查看详情用于1200V级SiC器件的深沟道U形场板边缘端接的设计和表征
本文介绍了用于1200V级碳化硅（SiC）器件的深沟槽U形场板（DTUFP）边缘终端结构的设计和特性。
